کاربرد سلیکان پلی کریستال در ساخت افزاره های نیمه هادی لایه نازک
پایان نامه
چکیده
در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت این روش جدید، با انجام اندازه گیریهای الکتریکی و متالورژیکی، از جمله sem و xrd ، وضعیت سلیکان پلی کریستال شده مورد بررسی قرار گرفته، و کارایی روش جدید بلوری کردن سلیکان، با تولید ساختارهای ترانزیستوری بر روی مناطق بلوری شده آزموده شده است . در انتها نیز با توجه به نتایج بدست آمده، روشهای امیدبخشی برای دستیابی به سلیکان چندبلوره پیشنهاد شده است .
منابع مشابه
عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء
لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل
متن کاملساخت و مطالعه فیزیک حالت جامدی لایه نازک نیمه هادی cds/cdt
دراین رساله ضمن ساخت و مطالعه حالت جامدی لایه نازک نامتجانس نیمه هادی n-cds/p-cdte شرایط بهینه ساخت و پارامترهای انباشت تعیین شدند. ما پس از مطالعه اپتیکی ، اپتوالکترونیکی و ساختاری لایه های cds و cdte به کمک طیف نگاری ، xrd، rbs و sem ، ساختار کریستالی لایه ، صفحات رشد و فواصل آنها، پارامترهای نوری ، توپولوژی سطح و ناخالصیهای لایه را به دست آوردیم. از مقایسه این منحنی ه...
15 صفحه اولساخت سیلیکاژل کروماتوگرافی لایه نازک در مقیاس آزمایشگاهی
سیلیکاژل مورد استفاده در کروماتوگرافی لایه نازک از ویژگی‌های فیزیکی و شیمیایی ویژه‌ای برخوردار است که از نظر توزیع اندازه ذرات، سطح ویژه، حجم حفره‌ها و قطر حفره‌ها در گستره‌ی مشخصی قرار می‌گیرد. در این پژوهش، برای ساخت این نوع سیلیکاژل پس از جمع‌آوری و بررسی اسناد و مدارک علمی مورد نیاز روش موسوم به روش دوغابی انتخاب شد. در این روش با استفاده از سدیم سیلیکات و سولفوریک اسید و با تکیه بر تجارب ...
متن کاملتشخیص الگوهای غیرطبیعی در فرآیند ساخت قطعات نیمه هادی با استفاده از شبکه های عصبی
در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...
متن کاملساخت و بررسی نمونه‌های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم
In this article, bulk and thin film samples of strontium ferrite have been studied. Due to the high electrical resistivity in strontium ferrite, energy loss due to eddy currents reduces and because of this, it can be used in high frequency magnetic circuits. On the other hand, strontium ferrite has attracted much attention as a permanent magnet. At first, we study the preparation process of b...
متن کاملتولید نانو پودر نیمه هادی azo:ag به روش ژل- احتراقی به منظور ساخت لایه های نازک نانوکامپوزیتی
هدف از انجام این تحقیق، تولید نانوپودر اکسید روی شامل دو افزودنی ag و al (azo:ag) به روش ژل احتراقی بود.عوامل گوناگونی وجود دارند که روش ژل احتراقی را تحت تأثیر قرار می دهند. در این تحقیق تأثیر 4 پارامتر نوع سوخت، نسبت سوخت به اکسنده(?) ، phمحلول و دمای کلسیناسیون در 3 سطح توسط نرم افزار design- expert 7.1.3 مورد بررسی قرار گرفت. بعد از طراحی آزمایشات با آرایه l9 روش تاگوچی این نرم افزار و انجا...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023